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耗尽层宽度与掺杂浓度的关系

时间：2024-08-10 04:00:46 科技数码

PN结中高掺杂浓度，耗尽层宽度变窄原因

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耗尽层宽度取决于杂质离子的浓度；

在掺杂半导体中，多数载流子由杂质离子提供，少数载流子由本征激发（形成电子空穴对），故而，在高掺杂浓度下，多数载流子的扩散运动大于PN结内建电场形成的少数载流子的漂移运动，同时削弱了内建电场，即耗尽层宽度变窄，此时整个运动过程即是半导体正向导通的状态。

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